【機(jī)床商務(wù)網(wǎng)欄目 新品出爐】在本周舉行的美國光通訊展(OFC 2025)上，通快推出了最新112Gbps PAM4 InGaAs Photodiode 和 56Gbps VCSEL，新產(chǎn)品使數(shù)據(jù)中心的數(shù)據(jù)傳輸更加高效 ，并且進(jìn)一步完善了通快在數(shù)據(jù)通訊領(lǐng)域的產(chǎn)品組合。
 

　　112Gbps PAM4 Photodiode
 

　　此次展出的112Gbps PAM4 InGaAs Photodiode的波長范圍從 842 nm 至 948 nm，有效面積直徑為 32µm。此外，它具有低偏置電壓和低暗電流，可增強(qiáng)112Gbps應(yīng)用的性能。目前，產(chǎn)品樣品可供客戶進(jìn)行評估。
 

通快112Gbps PAM4 Photodiode
 陣列：1x1，1x2, 1x4, 1x8 和 1x12
 

　　56Gbps VCSEL
 

　　通快還推出了可在高溫環(huán)境下工作的850 nm 56Gbps VCSEL，該產(chǎn)品在 0°C 至 105°C 的更寬溫度范圍內(nèi)能提供穩(wěn)固、線性特性。此外，憑借通快在業(yè)界領(lǐng)先的窄光譜寬度，該VCSEL能夠?qū)崿F(xiàn)400米以上的傳輸距離，從而為數(shù)據(jù)中心的創(chuàng)新應(yīng)用提供了可能性。
 

通快 56G VCSEL陣列
 1x1，1x2, 1x4, 1x8 和 1x12
 

　　新產(chǎn)品技術(shù)優(yōu)勢
 

　　“我們在GaAs技術(shù)方面擁有悠久的歷史和核心技術(shù)優(yōu)勢，借此開發(fā)出了性能出色的112Gbps Photodiode。隨著這款產(chǎn)品的發(fā)布以及今年夏天即將推出的 112Gbps VCSEL，我們將擁有完整的112Gbps 解決方案組合，以滿足當(dāng)下及未來的需求，”通快光電器件部市場營銷副總裁Ralph Gudde表示。“在提升數(shù)據(jù)速率的同時，我們還不斷擴(kuò)充產(chǎn)品系列。新推出的56Gbps VCSEL可在高溫下進(jìn)行工作，提供了額外的設(shè)計裕度，并能實現(xiàn)更長的傳輸距離，從而可在數(shù)據(jù)中心內(nèi)實現(xiàn)創(chuàng)新應(yīng)用，”他補(bǔ)充道。
 

　　通快持續(xù)大力投資其技術(shù)以實現(xiàn)更高的數(shù)據(jù)傳輸速率，并提供VCSEL和Photodiode作為匹配對解決方案，其布局形式多樣，包括1x1、1x2、1x4、1x8 和 1x12 陣列。這些器件能夠?qū)崿F(xiàn)高速穩(wěn)定且可靠的數(shù)據(jù)傳輸，專門為滿足數(shù)據(jù)中心的需求而設(shè)計，包括AI/ML、高性能計算以及其他帶寬密集型應(yīng)用。